Interazione elettrone-fonone in dispositivi nanoelettronici
Gratis
L'anteprima di questa tesi è scaricabile gratuitamente in formato PDF.
Per scaricare il file PDF è necessario essere iscritto a Tesionline. L'iscrizione non comporta alcun costo: effettua il Login o Registrati.
1 Introduzione Negli ultimi decenni abbiamo assistito ad una graduale riduzione delle dimensioni dei dispositivi elettronici, che hanno raggiunto scale nanometriche. Il processo di scalatura delle dimensioni dei dispositivi elettronici è possibile fin tanto che non variano le leggi fisiche alla base del funzionamento di questi dispositivi,poichØ ciò non comporta un cambiamento nel modello fisico che approssima la realtà. Ma quando il sistema si riduce ad un numero finito di atomi tra loro connessi, diventano predominanti nuovi processi e comportamenti del materiale, che prima venivano trascurati; dunque il modello con approssimazione classica non è piø valido. Per descrivere in modo corretto i dispositivi nanometrici, è fondamentale considerare i processi quantistici che determinano il trasporto di carica, (come la quantizzazione dell’energia e degli stati elettronici permessi, il principio di esclusione di Pauli secondo il quale due elettroni in quanto fermioni non possono trovarsi nel medesimo stato, l’interazione elettrone-fonone, l’effetto tunnel delle cariche in quanto nella meccanica quantistica le particelle hanno probabilità non nulla di superare barriere di potenziale anche qualora non posseggano energia sufficiente) e quindi sviluppare nuovi modelli teorici che tengono conto di questi fenomeni quantistici. Per questo ci viene in aiuto il formalismo basato su funzioni di Green di non equilibrio (NEGF). Le funzioni di Green sono un potente strumento analitico per descrivere le proprietà quantomeccaniche dei dispositivi e dunque per il calcolo del trasporto quantistico in nano strutture; per questo motivo, iniziamo questa tesi con una introduzione al formalismo NEGF . In questo formalismo si possono imporre condizioni al contorno aperte nei sistemi, si hanno le informazioni sull’occupazione statistica degli stati, la densità 2 spettrale è trattata in modo esatto e auto consistente, vengono fornite informazioni sulla popolazione degli stati . Attraverso la libreria libNEGF, sviluppata tra Tor Vergata e Brema, ci occuperemo del calcolo quantistico tramite utilizzo del formalismo NEGF. Nel primo capitolo si introdurranno nozioni teoriche fondamentali, come la Green’s Function, con la relativa definizione del propagatore di una particella , l'evoluzione temporale degli operatori e infine della nascita del termine di Self- Energy dovuta all’interazione coi contatti. Si parlerà poi del formalismo NEGF e dei concetti ad esso correlati, concludendo poi con un algoritmo implementato in libNEGF per calcolare la densità elettronica influenzata dai contatti. Nel secondo capitolo si tratterà l’argomento centrale della tesi: lo scattering elettrone fonone. Uno degli aspetti piø importanti del trasporto di carica nei dispositivi nanometrici, è il controllo della dissipazione di potenza, in particolare il trasferimento di energia tra i portatori di carica che scorrono e le vibrazioni del reticolo. Infatti una frazione di cariche subisce processi di scattering anelastico, e ciò può portare ad eventi rilevanti come processi di riscaldamento, che si traduce spesso in degradazione dell'intero dispositivo. Per questo motivo è molto importante studiare questi processi di scattering in dettaglio. La maggior parte dei modelli includono l’accoppiamento elettrone- fonone per spiegare l'interazione tra gli elettroni e la vibrazione della molecola. Il formalismo NEGF permette di avere informazioni anche su eventi di scattering che muovono elettroni tra diversi livelli energetici, permettendo il calcolo delle matrici di accoppiamento elettrone-fonone, assumendo una approssimazione armonica. Dunque verrà sviluppato un nuovo termine di Self-Energy oltre a quello dei contatti, si semplificherà l'espansione della perturbazione introducendo una tecnica schematica e le relative regole di Feynman. 3 In questo modo, si introduce l’approssimazione di Born e si derivano le equazioni differenziali di Dyson. In seguito si procederà con l’iterazione di Poisson per il calcolo del potenziale auto consistente. Nel terzo capitolo il tutto verrà applicato ai nano tubi di carbonio (CNT), dapprima, allo scopo di testare la libreria e il buon funzionamento delle parti nuove implementate, verranno fatte simulazioni esemplificative sul caso di un CNT metallico , usando l’approssimazione di catena 1D. Constata la bontà della libreria, si passerà a simulare il caso reale di un CNT bidimensionale, in cui è presente una regione intrinseca tra due regioni drogate . L’analisi del modello sarà concentrata sull’impatto che ha lo scattering elettrone-fonone nella corrente di uscita. 4 Capitolo 1 Trasporto di carica 1.1 Green’s Function Il problema di un sistema sottoposto ad una eccitazione, nota la funzione d’onda , si può scrivere partendo dall’equazione di Schrödinger tempo indipendente: > = ħ > Invece di concentrarci sulla funzione d’onda, guardiamo la risposta impulsiva: ħ − , = −