Cr/Au per il Gating in una Microstruttura di AlGaAs/GaAs
Il presente lavoro di Tesi si colloca all'interno di un progetto di ricerca teso alla realizzazione di una sorgente di singoli fotoni a semiconduttore. La realizzazione di tale dispositivo richiede una complessa serie di passi di processo che devono essere opportunamente programmati ed individualmente ottimizzati. E' prevista infatti una giunzione $pin$ planare all'interno di un'eterostruttura che individua una regione di carica quasi-bidimensionale. I portatori sono trasferiti attraverso la giunzione da un'onda acustica superficiale indotta da un trasduttore nel semiconduttore, che è previsto quindi avere adeguate proprietà di piezoelettricità: il materiale prescelto è un'eterostruttura di AlGaAs/GaAs.
Il contributo portato da questo lavoro riguarda la definizione dei \textit{gate} previsti nel dispositivo completo. La mia attività è iniziata con la progettazione di un'opportuna eterostruttura di AlGaAs/GaAs, contenente un gas elettronico bidimensionale (2DEG), che è stata cresciuta presso il laboratorio TASC di Trieste attraverso la tecnica di deposizione epitassiale da fase solida. Sulla superficie dell'eterostruttura ho depositato un \textit{gate} di Cr/Au verificando l'operazione tramite misure di trasporto elettronico. Il dispositivo realizzato è stato caratterizzato in particolare nelle condizioni previste per il funzionamento della sorgente completa e quindi a basse temperature, fino a 0.3 K, utilizzando un criostato a circuito chiuso. L'evoluzione della carica e della mobilità del 2DEG in funzione della polarizzazione del \textit{gate} è stata stabilita grazie a misure di effetto Hall e Shubnikov-de Haas. Nell'ambito di questa caratterizzazione, in presenza di campi magnetici più intensi, è stato anche osservato l'effetto Hall quantistico.
Durante il mio tirocinio, svoltosi presso il centro NEST (National Enterprise for nanoScience and nanoTechnology) della Scuola Normale Superiore di Pisa, ho quindi imparato ad adoperare tecniche di litografia ottica e di evaporazione di metalli, finalizzate alla deposizione di contatti ohmici ed elettrodi di \textit{gate} su eterostrutture di AlGaAs/GaAs ed alla realizzazione di un opportuno \textit{mesa}.
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Informazioni tesi
Autore: | Michele Montinaro |
Tipo: | Tesi di Laurea |
Anno: | 2004-05 |
Università: | Università degli Studi di Pisa |
Facoltà: | Scienze Matematiche, Fisiche e Naturali |
Corso: | Fisica |
Relatore: | Fabio Beltram |
Lingua: | Italiano |
Num. pagine: | 41 |
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